NANDフラッシュメモリの記憶密度推移(2011年～2022年、線形目盛り)。半導体回路技術の国際学会「ISSCC」の発表論文から筆者がまとめたもの高密度化は1年で1.4倍強のハイペースを2022年も維持 昨年(2021年)4月2日付けの本コラム「1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術」では、同年2…
NANDフラッシュメモリの記憶密度推移(2011年～2022年、線形目盛り)。半導体回路技術の国際学会「ISSCC」の発表論文から筆者がまとめたもの高密度化は1年で1.4倍強のハイペースを2022年も維持 昨年(2021年)4月2日付けの本コラム「1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術」では、同年2…