米国アリゾナ州フェニックスで2022年10月16-19日に開催された「2022年 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium(BCICTS 2022)」において、住友電気工業(住友電工)が、N極性GaN HEMTを開発したことを報告した。 GaN HEMTのゲート絶縁層にハフニウム(Hf)系…
米国アリゾナ州フェニックスで2022年10月16-19日に開催された「2022年 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium(BCICTS 2022)」において、住友電気工業(住友電工)が、N極性GaN HEMTを開発したことを報告した。 GaN HEMTのゲート絶縁層にハフニウム(Hf)系…