SKハイニックスは、モバイルDRAMの製品としては初めて、最先端工程である「HKMG(High-Kメタルゲート)」工程を採用したLPDDR5X(写真)の開発に成功したと、9日明らかにした。 HKMG工程とは、DRAM内部の電流漏れを防ぎ、電気の蓄積容量を高めた次世代工程技術だ。DRAMの処理速度を速くしながらも、消…
SKハイニックスは、モバイルDRAMの製品としては初めて、最先端工程である「HKMG(High-Kメタルゲート)」工程を採用したLPDDR5X(写真)の開発に成功したと、9日明らかにした。 HKMG工程とは、DRAM内部の電流漏れを防ぎ、電気の蓄積容量を高めた次世代工程技術だ。DRAMの処理速度を速くしながらも、消…