SKハイニックスは、モバイルDRAMの製品としては初めて、最先端工程である「HKMG（High-Kメタルゲート）」工程を採用したLPDDR5X（写真）の開発に成功したと、9日明らかにした。 HKMG工程とは、DRAM内部の電流漏れを防ぎ、電気の蓄積容量を高めた次世代工程技術だ。DRAMの処理速度を速くしながらも、消…
SKハイニックスは、モバイルDRAMの製品としては初めて、最先端工程である「HKMG（High-Kメタルゲート）」工程を採用したLPDDR5X（写真）の開発に成功したと、9日明らかにした。 HKMG工程とは、DRAM内部の電流漏れを防ぎ、電気の蓄積容量を高めた次世代工程技術だ。DRAMの処理速度を速くしながらも、消…