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京都大学(京大)、東京都立産業技術研究センター(都産技研)、立命館大学の3者は9月9日、次世代パワー半導体材料として注目されている「ルチル型GeO2(r-GeO2)」を中心とした、ルチル型酸化物半導体混晶系(GeO2-SnO2-SiO2)を新たに提案するとともに、実験と計算の両面からの同系の有用性を実証したことを…