住友電気工業<5802>は18日、さらなる大容量・高速通信を実現するポスト5Gを見据え、GaN結晶にN極性を、ゲート絶縁膜に世界初のハフニウム（Hf）系の高耐熱高誘電材料を適用した、窒化ガリウムトランジスタ「GaN－HEMT」を開発したと発表した。 同社では、長年の結晶成長技術を生かし、ヒロックの無い高…
住友電気工業<5802>は18日、さらなる大容量・高速通信を実現するポスト5Gを見据え、GaN結晶にN極性を、ゲート絶縁膜に世界初のハフニウム（Hf）系の高耐熱高誘電材料を適用した、窒化ガリウムトランジスタ「GaN－HEMT」を開発したと発表した。 同社では、長年の結晶成長技術を生かし、ヒロックの無い高…