東レ<3402>は21日、シンガポール科学技術研究庁A＊STARの先端的半導体研究機関Institute of Microelectronics（IME）と、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体向け高放熱接着材料の実用化に向けた共同研究を開始したと発表した。 SiCパワー半導体は、省エネルギー・カーボンニュートラルの観点から、車載用途…
東レ<3402>は21日、シンガポール科学技術研究庁A＊STARの先端的半導体研究機関Institute of Microelectronics（IME）と、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体向け高放熱接着材料の実用化に向けた共同研究を開始したと発表した。 SiCパワー半導体は、省エネルギー・カーボンニュートラルの観点から、車載用途…