ゲート絶縁膜にHf系高耐熱高誘電材料を採用 住友電気工業は2022年10月、GaN結晶にN極性を、ゲート絶縁膜にハフニウム（Hf）系の高耐熱高誘電材料をそれぞれ用いた「窒化ガリウムトランジスタ（GaN-HEMT）」を開発したと発表した。ポスト5G（第5世代移動通信）用通信機器に向ける。 高周波増幅器などに…
ゲート絶縁膜にHf系高耐熱高誘電材料を採用 住友電気工業は2022年10月、GaN結晶にN極性を、ゲート絶縁膜にハフニウム（Hf）系の高耐熱高誘電材料をそれぞれ用いた「窒化ガリウムトランジスタ（GaN-HEMT）」を開発したと発表した。ポスト5G（第5世代移動通信）用通信機器に向ける。 高周波増幅器などに…