SiCパワー半導体向け実用化へ、東レが高放熱接着材料の研究で一手 （ニュースイッチ）

東レは21日、シンガポール科学技術研究庁の半導体研究機関、インスティチュート・オブ・マイクロエレクトロニクス（IME）とSiC（炭化ケイ素）パワー半導体向け高放熱接着材料の実用化研究を始めたと発表した。耐熱性に優れる次世代のSiCパワー半導体から効率的に放熱する材料の貼り付けプロセスを開発…